关于“一种InGaN半导体材料及其外延制备方法和应用”等四项发明专利权转让的公示
发布人：关志涛
发布日期：2026-09-11
“一种InGaN半导体材料及其外延制备方法和应用”等四项发明专利权为中山大学所有，我校拟进行成果转让。经使用天眼查软件系统查询，发明人与受让方智诚尚芯（安徽）半导体有限公司不存在关联关系。按照《中山大学科技成果转化实施办法》（中大科研〔2020〕25号）的规定，现将我校拟转让该四项发明专利权事宜予以公示，公示期15日，自2026年9月11日至2026年9月26日止。任何单位和个人如对转让有异议，可于2026年9月26日下午5：30前以书面形式送交科学研究院产学研处（地址：南校区中山楼一期101室）。异议应当签署真实姓名或加盖单位公章，并注明联系方式，逾期不予受理。
专利号 | 专利名称 | 专利权人 | 发明人 | 拟转让价格 | 拟受让方 |
ZL201910667348.9 | 一种InGaN半导体材料及其外延制备方法和应用 | 中山大学 | 江灏,王海龙 | 12万元 | 智诚尚芯（安徽）半导体有限公司 |
ZL201910759343.9 | 一种n型AlGaN半导体材料及其外延制备方法 | 中山大学 | 江灏,温泉,吕泽升,邱新嘉 | ||
ZL202110496037.8 | 一种制备InGaN外延层的方法 | 中山大学 | 江灏,吕泽升 | ||
ZL202210267283.0 | 一种低阻高反射欧姆接触电极及其制备方法 | 中山大学 | 江灏,孙悦,卢家冰,吕泽升 |
联系人：黄珍
联系电话：020-84111874
电子邮箱：kjccxba@mail.sysu.edu.cn
附件：1. 专利证书
科学研究院
2026年9月11日
