关于“一种增强型AlGaN/GaN场效应管及其制作方法”等14项专利作价投资事宜的 公示
按照《中华人民共和国促进科技成果转化法》及《中山大学科技成果转化规定》（中大科研〔2016〕5号）的规定，现将我校电子与信息工程学院刘扬教授团队“一种增强型AlGaN/GaN场效应管及其制作方法”等14项专利作价投资事宜予以公示，公示期15日，自2018年3月28日至2018年4月11日。
经我校聘请的中联国际评估咨询有限公司对14项专利进行资产评估，评估值为2583.91万元。我校现拟以该14项专利作为无形资产，作价2583.91万元与北京大学东莞燕园创投公司、中国电子集团合肥彩虹蓝光科技有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司等投资方共同成立“江苏华功半导体有限公司”。
任何单位或个人若对该14项专利作价投资项目有异议，应于2018年4月11日下午5:30前以书面形式送交科学研究院产学研合作处（地址：南校区中山楼214室）。异议应当签署真实姓名或加盖单位公章，并注明联系方式，逾期不予受理。
联系人：刘乐
联系电话：020-84111874
电子邮箱：kjccxba@mail.sysu.edu.cn
拟作价投资专利清单
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序号 |
类别 |
专利号 |
专利名称 |
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1 |
发明专利 |
ZL200910036617.8 |
一种增强型AlGaN/GaN场效应管及其制作方法 |
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2 |
发明专利 |
ZL200910193179.6 |
一种功率型AlGaN/GaN肖特基二极管及其制作方法 |
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3 |
发明专利 |
ZL201010529792.3 |
一种功率型GaN基肖特基二极管及其制作方法 |
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4 |
发明专利 |
ZL201010617606.1 |
GaN基异质结构增强型绝缘栅场效应晶体管及制备方法 |
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5 |
发明专利 |
ZL201110321887.0 |
一种GaN基增强型MOSHFET器件的制备方法 |
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6 |
发明专利 |
ZL201110339435.5 |
GaN高阈值电压增强型MOSHFET器件及制备方法 |
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7 |
发明专利 |
ZL201210416073.X |
一种混合结构场效应晶体管及其制作方法 |
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8 |
发明专利 |
ZL201210381515.1 |
一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制备方法 |
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9 |
发明专利 |
ZL201210033746.3 |
纵向导通的GaN基MISFET器件及其制作方法 |
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10 |
发明专利 |
ZL200910042058.1 |
用于氮化物外延生长的纳米级图形化衬底的制备方法 |
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11 |
发明专利 |
ZL201110101683.6 |
一种硅衬底上半极性、非极性GaN复合衬底的制备方法 |
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12 |
发明专利 |
ZL200910192331.9 |
基于预成型阳极氧化铝的亚微米图形衬底制作方法 |
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13 |
发明专利 |
ZL201310040189.2 |
一种渐变AlGaN层的制备方法及采用该方法得到的器件 |
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14 |
发明专利 |
ZL200910192129.6 |
一种双元素delta掺杂生长P型GaN基材料的方法 |
科学研究院
2018年3月28日
