关于“纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法”等十一项专利权转让的公示
“纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法”等十一项专利权为中山大学所有。我校拟进行成果转让。经使用天眼查软件系统查询，发明人与受让方上海芯元基半导体科技有限公司不存在关联关系。按照《中山大学科技成果转化实施办法》（中大科研〔2020〕25号）的规定，现将我校拟转让“纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法”等十一项专利权事宜予以公示，公示期15日，自2021年7月2日至7月16日止。任何单位和个人如对转让有异议，可于2021年7月16日下午5：30前以书面形式送交科学研究院横向处（地址：南校区中山楼一期101室）。异议应当签署真实姓名或加盖单位公章，并注明联系方式，逾期不予受理。
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序号 |
专利号 |
专利名称 |
发明人 |
拟转让价格 |
拟受让方 |
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1 |
ZL201110282654.4 |
纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法 |
刘扬，杨帆，张佰君 |
200万
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上海芯元基半导体科技有限公司
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2 |
ZL201410648060.4 |
一种Si衬底GaN基肖特基势垒二极管器件的三维互联结构及三维互联方法 |
刘扬，周桂林，张佰君 |
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3 |
ZL201510029558.7 |
一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法 |
刘扬，何亮，杨帆，姚尧，倪毅强 |
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4 |
ZL201510029547.9 |
一种横向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法 |
刘扬，何亮，倪毅强，姚尧，杨帆 |
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5 |
ZL201610168348.0 |
一种GaN基凹槽栅MISFET的制备方法 |
刘扬，李柳暗 |
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6 |
ZL201420375894.8 |
一种GaN基异质结肖特基二极管器件 |
刘扬，钟健，姚尧 |
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7 |
ZL201620385916.8 |
一种高质量MIS结构的AlNGaN基场效应晶体管 |
刘扬，王文静，何亮 |
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8 |
ZL201721420258.2 |
一种高性能常关型的GaN场效应晶体管 |
刘扬，郑介鑫 |
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9 |
ZL201721427178.X |
一种高质量MOS界面的常关型GaNMOSFET结构 |
刘扬，阙陶陶 |
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10 |
ZL201721450554.7 |
一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构 |
刘扬，张佳琳 |
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11 |
ZL201820916109.3 |
一种高耐压高导通性能P型栅极常关型HEMT器件 |
刘扬，陈佳，李柳暗 |
联系人：刘乐
联系电话：020-84111874
科学研究院
2021年7月2日
