关于“纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法”等十一项专利权转让现金奖励的公示
为落实科技部、财政部、税务总局《关于科技人员取得职务科技成果转化现金奖励有关个人所得税政策的通知》（财税〔2018〕58号）及《关于科技人员取得职务科技成果转化现金奖励信息公示办法的通知》（国科发政〔2018〕103号）、《中山大学科技成果转化实施办法》（中大科研〔2020〕25号）的要求，规范科技人员取得职务科技成果转化现金奖励有关个人所得税缴纳，确保现金奖励相关信息公开、透明，学校现对“纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法”等十一项专利权转让现金奖励事宜公示如下：
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序号 |
专利名称 |
专 利 号 |
专利授权日 |
主要发明人 |
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1 |
纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法 |
ZL201110282654.4 |
2014年2月12日
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刘扬，杨帆，张佰君
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2 |
一种Si衬底GaN基肖特基势垒二极管器件的三维互联结构及三维互联方法 |
ZL201410648060.4
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2017年8月22日
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刘扬，周桂林，张佰君
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3 |
一种纵向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法 |
ZL201510029558.7
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2018年2月9日
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刘扬，何亮，杨帆，姚尧，倪毅强 |
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4
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一种横向导通的GaN常关型MISFET器件及其制作方法 |
ZL201510029547.9 |
2018年6月5日
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刘扬，何亮，倪毅强，姚尧，杨帆 |
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5 |
一种GaN基凹槽栅MISFET的制备方法 |
ZL201610168348.0
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2018年6月5日
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刘扬，李柳暗
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6 |
一种GaN基异质结肖特基二极管器件 |
ZL201420375894.8
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2015年1月21日
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刘扬，钟健，姚尧
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7 |
一种高质量MIS结构的AlNGaN基场效应晶体管 |
ZL201620385916.8
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2016年12月14日
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刘扬，王文静，何亮
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8 |
一种高性能常关型的GaN场效应晶体管 |
ZL201721420258.2
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2018年7月27日
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刘扬，郑介鑫
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9 |
一种高质量MOS界面的常关型GaNMOSFET结构 |
ZL201721427178.X
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2018年7月27日
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刘扬，阙陶陶
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10 |
一种高阈值电压高导通性能的常关型GaN基MOSFET结构 |
ZL201721450554.7
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2018年10月12日
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刘扬，张佳琳
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11 |
一种高耐压高导通性能P型栅极常关型HEMT器件 |
ZL201820916109.3
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2019年1月22日
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刘扬，陈佳，李柳暗
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转化方式 ：发明专利权及实用新型专利权转让
受让方：上海芯元基半导体科技有限公司
转让总价：合同金额200.00万元
到账金额：200.00万元
转让净收益：200.00万元
现金奖励金额：140.00万元
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姓名 |
人员岗位 |
奖励金（万元） |
成果贡献 |
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刘扬 |
电子与信息工程学院教师 |
140.00 |
研发牵头人、完成人 |
技术合同登记信息：已办理认定，编号（2021440003000440）
特此公示，公示期为15天，自2022年2月28日至2022年3月14日止。如有意见，应于3月14日下午5：30前以书面形式送交科学研究院横向处（地址：南校区中山楼1期101室）。异议应当签署真实姓名或加盖单位公章，并注明联系方式，逾期不予受理。
联系人：王平
联系电话：020-84111399
电子邮箱：wangping5@mail.sysu.edu.cn
科学研究院
2022年2月28日
