转发国家自然科学基金委员会关于发布2025年度国家自然科学基金专项项目——“芯片制造中的表界面电化学基础”申请指南的通告

各有关单位及项目申请人： 
       国家自然科学基金委员会日前发布了《关于发布2025年度国家自然科学基金专项项目——“芯片制造中的表界面电化学基础”申请指南的通告》。本专项研究芯片制造中电沉积与电化学刻蚀涉及的纳微空间限域效应及添加剂的作用机制，建立相关电化学过程中的多尺度构效关系；建立纳微空间原位/工况表征技术及仿真方法，发展芯片制造表界面电化学基础理论；针对先进制程芯片中的表界面电化学问题，研制高性能添加剂和下一代互连新材料，提高我国芯片制造的自主创新能力。拟资助研究方向：1.芯片制造中的电化学表界面纳微结构、动态过程及其调控；2.芯片制造中电化学表界面动态过程的原位/工况表征方法；3.芯片制造中电化学表界面动态过程的理论、计算与仿真；4.芯片制造中电化学表界面过程添加剂分子构效规律和性能调控；5.芯片制造中电子逻辑互连下一代材料创制中的表界面电化学基础。
       项目指南已通过科学基金网络信息系统（https://grants.nsfc.gov.cn）发布，请二级单位和申请人登录科学基金网络信息系统，在“项目管理-项目指南”模块查看。
       请有关单位科研管理部门或科研秘书认真组织符合条件的人员申请。有意申请者请在2025年7月21日前把意愿通过email告知科研院联系人。GRANTS系统提交申请书电子版的校内截止时间为2025年7月29日16时。本项目实行无纸化申请，无需提交纸质申请材料。
 
       联 系 人 ：科学研究院纵向处  范丹琳，冯春华
       联系电话：020-84111595，84115962
       联系邮箱：sysunsfc@mail.sysu.edu.cn

科学研究院   
2025年6月9日

通知链接：关于发布2025年度国家自然科学基金专项项目——“芯片制造中的表界面电化学基础”申请指南的通告
https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab442/info94985.htm