关于“一种增强型AlGaN/GaN场效应管及其制作方法”等14项专利作价投资事宜的 公示

        按照《中华人民共和国促进科技成果转化法》及《中山大学科技成果转化规定》(中大科研〔2016〕5号)的规定,现将我校电子与信息工程学院刘扬教授团队“一种增强型AlGaN/GaN场效应管及其制作方法”等14项专利作价投资事宜予以公示,公示期15日,自2018年3月28日至2018年4月11日。

        经我校聘请的中联国际评估咨询有限公司对14项专利进行资产评估,评估值为2583.91万元。我校现拟以该14项专利作为无形资产,作价2583.91万元与北京大学东莞燕园创投公司、中国电子集团合肥彩虹蓝光科技有限公司、东莞市中镓半导体科技有限公司等投资方共同成立“江苏华功半导体有限公司”。

        任何单位或个人若对该14项专利作价投资项目有异议,应于2018年4月11日下午5:30前以书面形式送交科学研究院产学研合作处(地址:南校区中山楼214室)。异议应当签署真实姓名或加盖单位公章,并注明联系方式,逾期不予受理。

联系人:刘乐
联系电话:020-84111874
电子邮箱:kjccxba@mail.sysu.edu.cn

 

 

                拟作价投资专利清单

序号

类别

专利号

专利名称

1

发明专利

ZL200910036617.8

一种增强型AlGaN/GaN场效应管及其制作方法

2

发明专利

ZL200910193179.6

一种功率型AlGaN/GaN肖特基二极管及其制作方法

3

发明专利

ZL201010529792.3

一种功率型GaN基肖特基二极管及其制作方法

4

发明专利

ZL201010617606.1

GaN基异质结构增强型绝缘栅场效应晶体管及制备方法

5

发明专利

ZL201110321887.0

一种GaN基增强型MOSHFET器件的制备方法

6

发明专利

ZL201110339435.5

GaN高阈值电压增强型MOSHFET器件及制备方法

7

发明专利

ZL201210416073.X

一种混合结构场效应晶体管及其制作方法

8

发明专利

ZL201210381515.1

一种GaN增强型MIS-HFET器件及其制备方法

9

发明专利

ZL201210033746.3

纵向导通的GaN基MISFET器件及其制作方法

10

发明专利

ZL200910042058.1

用于氮化物外延生长的纳米级图形化衬底的制备方法

11

发明专利

ZL201110101683.6

一种硅衬底上半极性、非极性GaN复合衬底的制备方法

12

发明专利

ZL200910192331.9

基于预成型阳极氧化铝的亚微米图形衬底制作方法

13

发明专利

ZL201310040189.2

一种渐变AlGaN层的制备方法及采用该方法得到的器件

14

发明专利

ZL200910192129.6

一种双元素delta掺杂生长P型GaN基材料的方法

 

附件:14项发明专利证书

 

科学研究院

2018年3月28日

文件附件: